今回はホトリソ工程についてまとめます。
半導体をパターンニングするうえで、ホトリソ工程が必要になってきます。
ホトリソは大きく分けて、【1】レジストを塗布するコーティング、【2】レジストを感光させる露光、【3】レジスト膜を除去する現像、3つの工程に分けられます。それぞれ説明します。
最後に【4】微細化技術のEUVの技術についても説明します。
【1】コーティング
①前処理
レジスト塗布前にウェハ表面洗浄し、その後、薬液を使用し、水分を混じりにくくします。
②スピンコート
スピンコートによりレジストをウェハにコーティングをします。
③プリベーク
ウェハを加熱し、レジストを硬化させます。
【2】露光
マスク（レチクルとも言う）越しに光を照射し、レジストを反応させます。
※この時短波長の光になれば、より微細化を実現できます。
10nm~400nmの波長が主に使用されます。
【3】現像
アルカリ現像液を使用して、光と反応したレジスト膜が除去されます。
このレジスト膜がポジ型であり、ネガ型のレジスト膜は光が照射されたところが現像には溶けなくなります。
使い分けとしてはネガ型は大きなパターンで厚いレジストが成膜されていたりするものに対して有効となります。
【4】微細化
近年に大きな注目を浴びているEUVは波長が大変短い10nmレベルの波長を使用する露光です。
ミラーを何度も反射させて、ウェハに照射させます。ミラーを使用する理由はセットされたウェハに照射するためにはミラーを使用して角度を変える必要があるためです。
ミラーによる反射での光の吸収、他にも様々な課題がある中、それを乗り越えて実用化されています。
